电子芯片和LED芯片有什么主要区别？
1，芯片的裸die尺寸相差不是太大，如cm/mm/0.1mm这个量级，但同样大小的集成电路里面有非常复杂的电路（常说的7nm/10nm工艺），IC设计和制造一样为非常复杂高难度的工程，由此衍生既像Intel、三星这样设计制造一体的公司，也有高通、苹果这样的Fabless公司及台积电这样的代工厂；而分立器件一颗die就是独立的一个发光源再加上正负电极，里面的制程可能100um/10um级就够了，制造工艺流程也简单很多，从头到尾一百次左右工序就差不多了。更谈不上独立的LED IC设计公司。
2，芯片制造厂对清洁和低缺陷率要求很高，前者可能影响性能，缺陷多了，载流子移动速度上不来，如同一批货，有的能跑2.8GHz频率，有的只能跑2G以下；LED芯片对发光层缺陷率的要求比硅器件还要高几个数量级（印象中数据），否则严重影响发光效率，也就是很大部分能量以热能形式损失掉了。LED技术和产品已有几十年历史，但大规模使用（如液晶屏幕背光）是这二十年来的事情，材料不行导致发光效率低是首要原因。
所谓透明电极一是要能够导电，二是要能够透光。
这种材料现在较为广泛应用在液晶生产工艺中，其名称叫氧化铟锡，英文缩写ITO，但它不能作为焊垫使用。
制作时先要在芯片表面做好欧姆电极，然后在表面覆盖一层ITO再在ITO表面镀一层焊垫。
这样从引线上下来的电流通过ITO层均匀分布到各个欧姆接触电极上，同时ITO由于折射率处于空气与外延材料折射率之间，可提高出光角度，光通量也可增加。
电极加工也是制作LED芯片的关键工序，包括清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨;然后对衬底进行划片、测试和分选，就可以得到所需的LED芯片。
如果晶片清洗不够干净，蒸镀系统不正常，会导致蒸镀出来的金属层(指蚀刻后的电极)会有脱落，金属层外观变色，金泡等异常。
蒸镀过程中有时需用弹簧夹固定晶片，因此会产生夹痕(在目检必须挑除)。黄光作业内容包括烘烤、上光阻、照相曝光、显影等，若显影不完全及光罩有破洞会有发光区残多出金属。晶片在前段制程中，各项制程如清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨等作业都必须使用镊子及花篮、载具等，因此会有晶粒电极刮伤情形发生。
