天津中环电炉股份有限公司
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产品用途：

此款CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。

产品组成：

此款CVD系统配置：

1.1200度开启式真空管式炉（可选配单温区、双温区）。

2.多路质量流量控制系统

3.真空系统（可选配中真空或高真空）     

产品特点：

1 控制电路选用模糊PID程控技术，该技术控温精度高，热惯性小，温度不过冲，性能可靠，操作简单。

2 气路快速连接法兰结构采用本公司独有的知识产权专利设计,提高操作便捷性。

3 中真空系统具有真空度上下限自动控制功能，高真空系统采用高压强，耐冲击分子泵

 防止意外漏气造成分子泵损坏，延长系统使用寿命。